CL-SEM阴极发光分析是一种高效的微观检测技术,广泛应用于半导体、矿物、陶瓷及纳米材料等领域。该系统可精准分析材料晶格结构、缺陷分布及掺杂状态,为芯片研发、材料评估等提供关键数据支持。我司配备高分辨率CL-SEM系统,支持多波段光谱采集和定制化检测方案,助力科研与生产中的材料表征需求。
缺陷检测与分类
元素成分分布探测
材料内部掺杂缺陷的检测与分类
V型深坑测量
不同波长下V坑分布成像分析
V坑的局域态密度探测分析
定量分析
晶体缺陷密度分析测量
带隙随材料的成分不同而变化
时间分辨测量(皮秒级)
局部辐射和非辐射载流子寿命的测量
量子点中载流子能量弛豫过程的时间分辨测量
测样服务说明:
2. 多个样品检测(≥2个):按实际检测项目收取基础成本费用
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