242022-08 原子层沉积（ALD）技术凭借其独特的表面自限性生长原理，优异的共形性、大面积的均匀性，可适用于复杂三维表面沉积以及深孔洞均匀填隙生长等特点，受到半导体行业的青睐。 虽然与CVD相比，ALD存在产出低、成本高的缺点，然...
